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    • 专利摘要:
    Ein fotolithografisches Verfahren zum Ausbilden einer Fotomaske auf einem Substrat weist zusätzlich zu den Verfahrensschritten Beschichten des Substrats mit einem Fotolack, Austreiben des Lösungsmittels aus dem Fotolack mit einem ersten Temperaturschritt, Belichten des Fotolacks, Aufheizen des Fotolacks in einem zweiten Temperaturschritt und Entwickeln des Fotolacks in einem basischen Medium, um die Fotolackmaske auszubilden, einen weiteren, nach dem Austreiben des Lösungsmittels aus dem Fotolack mit dem ersten Temperaturschritt und vor dem Entwickeln des Fotolacks in dem basischen Medium ausgeführten Verfahrensschritt eines Beschichtens des belichteten Fotolacks mit einer Säure auf.
    公开号:DE102004025203A1
    申请号:DE200410025203
    申请日:2004-05-22
    公开日:2005-12-15
    发明作者:Klaus Elian；Mario Hennig；Wolfram Köstler；Antje Lässig；Christoph NÖLSCHER；Rainer Pforr；Lars VÖLKEL
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:G03F7-039
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft ein fotolithographisches Verfahren zum Ausbildeneiner Fotomaske auf einem Substrat, wobei der Fotolack insbesondereein Chemically Amplified (CAR)-Fotolack ist.
    [0002] ZurBearbeitung von Halbleitermaterialien, insbesondere von Siliziumwird in der Regel die sogenannte Planartechnik eingesetzt. Diesebeinhaltet eine Abfolge von jeweils ganzflächig auf der Substratoberfläche wirkendenEinzelprozessen, die übergeeignete Maskierungsschichten gezielt zur lokalen Veränderungdes Substratmaterials führen.Ein wesentlicher Prozessschritt der Planartechnik ist dabei diefotolithographische Ausbildung der Maskierungsschichten. Hierzuwird das Substrat mit einem strahlungsempfindlichen Fotolack beschichtet.Diese Fotolackschicht wird dann entsprechend einem vorgegebenenMuster in den gewünschtenBereichen so bestrahlt, dass in einem geeigneten Entwickler nur diebestrahlten oder unbestrahlten Bereiche entfernt werden. Das soentstandene Fotolackmuster kann dann als Maske für einen darauf folgenden Prozessschritt,z. B. eine Ätzungoder eine Ionenimplantation dienen. Anschließend wird die Fotolackmaskewieder abgelöst.
    [0003] Beiim Rahmen der Fotolithographietechnik eingesetzten Fotolacken unterscheidetman zwischen Positiv- und Negativlacken, je nachdem, ob die belichtetenoder unbelichteten Bereichen beim Entwickeln entfernt werden. Schwerpunktmäßig werden heutezur Herstellung integrierter Schaltungen auf Silizium-Substrat mit Hilfeder Planartechnik Positiv-Fotolacke eingesetzt, die sich durch einesehr hohe Empfindlichkeit, mit der sich auch kleinste Linienstrukturenim sub-μm-Bereichausbilden lassen, auszeichnen. Fotolacke enthalten dabei im Wesentlichendrei Bestandteile, nämlichein festes Matrixmaterial, einen lichtempfindlichen Anteil und einLösungsmittel.Das Matrixmaterial ist in der Regel ein längerkettiges Polymer, dassfür dieSchichtenbildung verantwortlich ist und die thermischen Eigenschaftendes Fotolacks bestimmt. Der lichtempfindliche Anteil legt den Wellenlängenbereichund die Empfindlichkeit des Fotolacks fest.
    [0004] BeimStandardprozess der Fotolackbearbeitung wird in der Regel so vorgegangen,dass nach dem Beschichten des Substrats mit dem Fotolack, im Allgemeinendurch Aufschleudern die Fotolackschicht, der Fotolack in einem erstenSchritt, dem sog. Post-Apply- oder Soft-Bake-Prozess getrocknet wird,um das Lösungsmittelaus dem Fotolack auszutreiben. Nach dem Trocknen der Fotolackschichtist die unbelichtete Fotolackmischung aus Matrixmaterial und lichtempfindlichenAnteil fest. Auf den Post-Apply-Bake-Prozess des Fotolacks erfolgtdas Justieren und Belichten, in der Regel mit der Hilfe einer Belichtungsmaske,die mit einer Struktur versehen ist, die auf dem Substrat ausgebildetwerden soll. Die Belichtung führtzu einer fotochemischen Umwandlung des lichtempfindlichen Anteilsin den belichteten Bereichen, wobei sich hier aus den lichtempfindlichenAnteil eine Säurebildet. Der belichtete Fotolack wird dann in der Regel nochmalseinem Heizschritt, dem sog. Post-Exposure-Bake-Prozess ausgesetzt,der füreine Diffusion der Säurein den belichteten Bereichen, der Fotolackschicht sorgt. Anschließend wirdauf die Oberflächedes belichteten Fotolacks eine Entwicklerflüssigkeit aufgesprüht oder dispergiert.Als Entwicklerflüssigkeitdienen dabei Laugen, die die belichteten Bereiche des Fotolacks mitder darin erzeugten Säureleicht lösen,so dass die belichteten Bereiche selektiv zu den nicht-bestrahltenFlächenentfernt werden können.Nach Ablauf der vorgegebenen Entwicklerzeit wird der Entwicklerin der Regel mit Wasser abgespült.Ein weiterer Ausheizschritt sorgt für eine vollständigen Trocknungdes Fotolacks. Das so entstandene gehärtete Lackmuster dient dannals Maske füreinen darauf folgenden Prozessschritt, um dass darunter liegende Substratlokal zu verändern.Anschließend wirddann die Lackmaske, üblicherweisemit einer Ätzung,entfernt.
    [0005] AlsPositiv-Fotolacke fürBelichtung mit ultraviolettem Licht werden vor allem Novolak-Resists eingesetzt,wobei die fotoaktive Verbindung in der Regel Diazonaphthochinonist. Um noch kleinere Strukturen ausbilden zu können, wird zum Belichten jedochzunehmend Licht mit Wellenlängenim tiefen ultravioletten Bereich verwendet, wobei als Fotolacke sogenannteCAR- (chemically amplified) Fotolacke eingesetzt werden, bei denenchemische Zusätzefür eineverstärkteSäureerzeugungsorgen und/oder verhindern, dass unbelichtete Bereiche entferntwerden.
    [0006] Problemebei den gegenwärtigeingesetzten Fotolacken, die auf Säureerzeugung durch Belichten basieren,besteht aber hinsichtlich der Einhaltung einer einheitlichen Linienbreitebei der Strukturausbildung. Bei der Linienbreitenkontrolle nachAusführung derLackstrukturen sind häufiggroßeSchwankungen bei der Linienbreite abhängig von der lokalen Dichte derin der Lackmaske ausgeführtenStrukturen zu erkennen. Solche Linienbreiten-Schwankungen treten insbesondereim Randbereich größerer Strukturengruppenauf, wobei oft die außenliegenden Strukturen überhauptnicht aufgelöstwerden. Weiterhin bilden sich bei der Fotolackstrukturierung oftsogenannte T-Topping-Strukturenmit einem verbreiterten Oberflächenbereichder Lacklinien, wobei diese Verbreiterung, insbesondere auch abhängig vonder Lage der Struktur stark schwankt. Bei solchen Lackstrukturenmit stark unterschiedlichem T-Topping besteht dann die Gefahr, dassbei der Übertragungder Lackstrukturen in das darunter liegende Substrat, z. B. im Rahmeneines Ätz- oder Implantationsprozesseserheblich fürdie Schaltkreisfunktionen nicht tolerierbaren Linienbreitenschwankungenbis hin zu nicht-aufgelöstenStrukturen auftreten.
    [0007] Aufgabeder vorliegenden Erfindung ist es deshalb ein fotolithographischesVerfahren zum Ausbilden einer Fotomaske auf einem Substrat, insbesonderefür denEinsatz von hochauflösendenFotolacken bereitzustellen, mit denen sich zuverlässig auchkleinste Lackstrukturen ausbilden lassen.
    [0008] Dieswird erfindungsgemäß durchein Verfahren gemäß Anspruch1 gelöst.Bevorzugte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
    [0009] Beimerfindungsgemäßen Verfahrenzum Ausbilden einer Fotolackmaske wird zusätzlich zu den StandardprozessschrittenBeschichten des Substrates mit einem Fotolack, Austreiben des Lösungsmittelsaus dem Fotolack mit einem ersten Temperaturschritt, Belichten desFotolacks, Ausheizen des Fotolacks in einem zweiten Temperaturschrittund Entwickeln des Fotolacks in einem basischen Medium, um die Fotolackmaskezu erzeugen, ein weiterer Verfahrensschritt nach dem Austreibendes Lösungsmittelsaus dem Fotolack mit dem ersten Temperaturschritt und vor dem Entwickelndes Fotolacks in dem basischen Medium durchgeführt, bei dem der Fotolack miteiner Säurebeschichtet wird.
    [0010] Dieseerfindungsgemäße Vorgehensweise ermöglicht insbesondereauch beim Einsatz kontrastreicher, chemisch verstärkter Fotolackehochgenau sehr kleine Strukturen im Fotolack unter Vermeidung vonT-Topping-Querschnitten auszubilden. Erfindungsgemäß wird nämlich durchden zusätzlichen Säurebeschichtungsprozessdes Fotolacks eine Homogenisierung der Säurekonzentration auf der Fotolackoberfläche erreicht.Es hat sich herausgestellt, dass die sich durch den Belichtungsvorgangaufgrund fotochemischer Umwandlung aus dem lichtempfindlichen Anteilbildende Säureaufgrund herkömmlicherDiffusionsvorgängeaus dem Oberflächenbereichder Fotolackschicht in die Umgebung abgegeben wird und sich somitdie Säurekonzentrationim Oberflächenbereichdes Fotolacks verringert, was dann beim Entwickeln in einer Laugezu einem reduzierten Ablösender entsprechenden Bereiche und damit zu starken Linienbreiteschwankungenführenkann. Mit der erfindungsgemäßen Vorge hensweiseeiner zusätzlichenSäurebeschichtungwird erreicht, dass auch im Oberflächenbereich der Fotolackschichteine homogene Säurekonzentrationvorliegt und somit eine gleichmäßige Entwicklungund eine exakte Ausbildung von Linienstrukturen erreicht wird.
    [0011] Gemäß der Erfindungist es dabei bevorzugt, das Beschichten des Fotolacks mit der Säure erst nachdem Belichten des Fotolacks, d. h. vor, während oder nach dem Härten desFotolacks mit dem zweiten Temperaturschritt durchzuführen. Hierdurchwird erreicht, dass die aufgebrachte Säure, die in der Fotolackoberfläche reduzierteSäurekonzentrationaufgrund von Ausdiffusionsvorgängensofort nachliefert und somit füreine zuverlässigeHomogenisierung der Entwicklungsrate der gesamten Fotolackschichtunabhängigvon der Strukturdichte sorgt.
    [0012] AlsMaterialien zur Homogenisierung der Säurekonzentration in der Fotolackoberfläche wird dieSäure auseiner Gasphase bevorzugt als kurzkettige, substituiert oder unsubstituierteSäure miteinem Siedepunkt bis 150° durchAufdampfen oder Aufsprühenauf die Fotolackoberflächeaufgebracht. Diese Vorgehensweise ermöglicht auf einfache Weise einegleichmäßige Säurebeschichtungder Fotolackoberflächeund damit eine zuverlässigeHomogenisierung der Säurekonzentrationin der Fotolackoberfläche.
    [0013] Gemäß einerweiteren bevorzugten Ausführungsformkann die Säureaus einer Flüssigphase, vorzugsweiseim Rahmen eines üblichenAufschleuderprozesses, auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht werden, wobeidas Substrat nach dem Aufbringen der Säure zusätzlich getrocknet wird. Diese Vorgehensweisesorgt ebenfalls auf einfache Weise für eine gleichmäßige Beschichtungder Fotolackoberflächemit Säureund damit füreine zuverlässige Homogenisierungder Säurekonzentrationin der Fotolackschicht.
    [0014] DieErfindung wird anhand der beigefügten Zeichnungennäher erläutert.
    [0015] 1 zeigt schematisch einen Prozessablaufzur Strukturierung einer Schicht auf einem Siliziumsubstrat im Rahmender Planartechnik; und
    [0016] 2 zeigt vier erfindungsgemäße Fotolackverarbeitungsprozesse.
    [0017] DieStrukturierung insbesondere von Halbleitermaterialien erfolgt heutefast durchwegs mit Hilfe der Lithographietechnik. Der wesentlicheAblauf dieser Technik ist in 1 amBeispiel der Strukturierung einer Schicht 2, z. B. einerSiO2-Schichtauf einem Substrat 1, z. B. einem Silizium-Substrat dargestellt.Bei der Herstellung hochintegrierter Schaltungen wird der Lithographieprozessin der Regel vollautomatisch durchgeführt, wobei die Siliziumwaferhintereinander die verschiedenen Prozessstationen durchlaufen. Inder ersten Prozessstation wird der Siliziumwafer 1 mitder zu strukturierenden SiO2-Schicht 2 inder Regel auf einer Heizplatte hochgeheizt, um oberflächlich absorbierendeWassermoleküleabzudampfen. Dann wird eine wenig Atomlagendicke Haftvermittlerschicht 3 zurVerbesserung der Haftung der anschließend aufzubringenden Fotolackschichtauf der SiO2-Schicht 2 aufgebracht.Der Haftvermittler 3 wird dabei entweder aus der Gasphaseabgeschieden oder in gelösterForm auf die Scheibe getropft und dann abgeschleudert. Statt eines Haftvermittlersoder auch zusätzlichkann eine Antireflexionsschicht, die für eine verbesserte Belichtung durchUnterdrückungvon Lichtreflexionen an der Grenzfläche sorgt, aufgebracht werden.
    [0018] Anschließend erfolgtdann die eigentliche Fotolackbeschichtung, die in der Regel miteiner Schleuder in einem sog. Spin-On-Prozess durchgeführt wird.Die Dicke der Fotolackschicht 4 kann sich dabei je nachOberflächeund Zielsetzung zwischen 0,1 μmund 3 μmbewegen. Als Fotolacke können weiterhinPositiv- oder Negativ-Fotolacke, je nachdem ob die be lichteten oderdie unbelichteten Bereichen beim Entwickeln weggelöst werdensollen, eingesetzt werden. Gebräuchlichaufgrund ihres höherenKontrastes und leichteren Aufbringen sind gegenwärtig Positiv-Fotolacke. DiemöglichenFotolacke enthalten im Wesentlichen drei Bestandteile, nämlich einPolymer, das fürdie Schichtenbildung verantwortlich ist, eine fotoaktive Verbindungund ein Lösungsmittel.Die fotoaktive Verbindung des Lacks unterliegt bei einer Belichtungeiner fotochemischen Umwandlung, bei der sich eine Säure in denbelichteten Bereichen vom Polymer abspaltet. Das Polymer ist dannlöslichund kann beim Entwickeln mit Hilfe einer Lauge entfernt werden.Bei einer Belichtung mit tief-ultraviolettem Licht werden vorzugsweise sog.chemisch verstärkte(CAR)-Fotolackeeingesetzt, die sich durch eine hohe Empfindlichkeit und verbesserteSäureerzeugungund/oder das Verhindern von Entwickeln von schwach belichteten Bereichenauszeichnen. Ein schematischer Querschnitt durch den Siliziumwafernach der Fotolackbeschichtung ist in 1A dargestellt.
    [0019] Nachdem Aufschleudern der Fotolackschicht wird der Siliziumwafer 1 mitder Fotolackschicht 4 in einem ersten Temperaturschrittauf ca. 100° aufgeheizt,um das Lösungsmittelaus dem Fotolack vollständigauszutreiben. Dieser Prozess wird als Soft- oder Post-Apply-Bake-Prozessbezeichnet. Die Fotolackschicht 4 ist dann fest. Auf denSoft-Bake-Prozess der Fotolackschicht 4 folgt dann dasBelichten 5 der Fotolackschicht 4 entsprechendeiner vorgegebenen Struktur, die in der SiO2-Schicht 2 auf demSiliziumsubstrat 1 erzeugt werden soll. Die Belichtungkann dabei mit einer Belichtungsmaske, die die gewünschte Strukturenthältoder auch durch direktes Schreiben z. B. mit Hilfe eines Laserstrahlserfolgen. Die Belichtung 5 sorgt für eine Säureerzeugung 6 imFotolack 4 in den belichteten Bereichen.
    [0020] Nachdem in 1B gezeigten Belichtungsvorgangwird dann der Siliziumwafer 1 mit dem belichteten Fotolack 4 nochmalseinem Temperaturschritt, bei dem das System wiederum auf ca. 100° aufgeheiztwird, unterworfen. Dieses sogenannte Post-Exposure-Bake-Prozess dient dazu, denbeim Belichtungsvorgang fotochemisch in eine Säure umgewandelten lichtempfindlichenAnteil diffundieren zu lassen und so eine Vergleichmäßigung derKonzentration der fotochemisch umgewandelten Säure im belichteten Fotolackbereichzu bewirken. Beim Belichtungsvorgang kommt es in der Regel zu ausgeprägten örtlichenIntensitätsschwankungenim Fotolack in Richtung senkrecht zur Oberfläche als Folge von Interferenzenentgegengesetzt laufender kohärenterWellen. Durch den im Rahmen des Post-Exposure-Bake-Prozess erzeugten Diffusionsvorgang werdendiese zunächststark ausgeprägtenMaxima und Minima ausgeglichen.
    [0021] Nachdiesem weiteren Auszeitschritt wird der Fotolack 4 entwickelt,wobei als Entwicklerflüssigkeit eineLauge eingesetzt wird, um die säurehaltigenbelichteten Bereiche abzulösen.Die Entwicklerflüssigkeitkann dabei auf die Fotolackoberfläche aufgesprüht odereinfach bis zur vollständigenBedeckung der Oberflächeaufgetropft werden. Nach Ablauf der Entwicklerzeit wird der Entwicklerdann in der Regel mit Wasser abgespühlt und das Wasser anschließend vorzugsweisedurch Zentrifugieren abgeschleudert. Ein Querschnitt durch die Siliziumscheibe 1 nachdiesem Prozessschritt ist in 1C gezeigt. Esbildet sich dann eine Fotomaske 4 mit der gewünschtenStruktur aus.
    [0022] Anschließend wirdin der Regel ein weiterer Ausheizprozess durchgeführt, umdie Fotolackschicht 4 vollständig auszutrocknen. Nach dem Nachback-Vorgangwird die Siliziumscheibe 1 in der Regel auf Maßhaltigkeit,Lagegenauigkeit und möglicheDefekte der Fotolackstruktur 4 untersucht. Das entstandeneFotolackmuster dient dann als Maske für einen darauf folgenden Prozessschrittauf dem Siliziumwafer 1, in der gezeigten Ausführungsformzur Ätzungder SiO2-Schicht 2 (vgl. 1D).Abschließendwird dann, wie in 1E dargestellt, die verbleibendeFotolackmaske mit einer weiteren Ätzung entfernt.
    [0023] Beidieser bekannten Standard-Fotolithographie-Prozessfolge, insbesonderebei der Verwendung chemisch verstärkter Fotolacke besteht das Problem,dass bei der Ausbildung kleinster Strukturen starke Linienbreitenschwankungen,in der Regel abhängigvon der lokalen Dichte der in der Fotolackschicht auszubildendenStruktur auftreten, die teilweise dazu führen können, dass außen liegende Strukturennicht aufgelöstsind. Insbesondere im Randbereich größere Strukturgruppen sind mitzunehmenden Abstand vom Rand systematisch Linienbreitenänderungenfestzustellen. Darüberhinaus treten auch starke Abweichungen bei den Lackprofilen dereinzelnen Lacklinien auf, wobei insbesondere unterschiedliche Verbreiterungenim oberen Bereich der Lackstruktur, sog. T-Topping-Verbreiterungen entstehen.Solche Schwankungen bei den Linienbreiten und den Profilen der Lackstrukturenkönnen danndazu führen,dass Fehler beim Übertragender Lackmuster in die darunter liegende Schicht auftreten. Die Problemehinsichtlich der Schwankung der Linienbreiten und insbesondere auchder Änderungender Lackprofile ergeben sich aufgrund von Konzentrationsschwankungender bei der fotochemischen Umwandlung des lichtempfindlichen Anteils desFotolacks sich bildenden Säure.Insbesondere im Oberflächenbereichder Fotolackschicht treten Säurekonzentrationsschwankungendurch Ausdiffusion auf.
    [0024] Umeine Vergleichmäßigung derSäurekonzentrationin der Fotolackschicht vor dem Entwickeln zu erreichen, wird erfindungsgemäß die Fotolackschichtnach dem Austreiben des Lösungsmittelsaus dem Fotolack und vor dem Entwickeln mit einer Säure beschichtet.Der Säurebeschichtungsvorgang (acidvaporizing/spinning + drying) kann dabei, wie die vier Prozessabläufe in 2 zeigten, nach dem Belichten (Exposure)und vor dem Post-Exposure-Bake (vgl. 2A), nachdem Post-Exposure-Bakeund vor dem Entwickeln (Development) (vgl. 2B), nachdem Soft-Bake-Prozess und vor dem Belichten (Exposure) (vgl. 2C)und auch währenddes Post-Exposure-Bake (vgl. 2D) ausgeführt werden.
    [0025] DieSäureschichtkann dabei auf der Fotolackschicht durch Aufdampfen oder Aufsprühen aus derGasphase oder durch Diffusion, Absorption oder Reaktion einer flüssigen Säure mitder Fotolackschicht erfolgen. Die Aufbringung der Säure alsFlüssigkeitwird bevorzugt mithilfe eines Aufschleuderprozesses durchgeführt. Dieauf der Lackschichtoberflächeaufgebrachte Säure,diffundiert in die Fotolackschicht und sorgt somit für eine Nachlieferung deraus dem Oberflächenbereichausdiffundierten, beim Belichtungsprozess aus den lichtempfindlichen Anteilerzeugten Säure.Daraus resultiert dann eine Homogenisierung der Säurekonzentrationin dem belichteten Fotolack und damit eine gleichmäßige Entwicklungsrateunabhängigvon der Strukturdichte in der Fotolackschicht, was zu einer deutlichenVerbesserung der Gleichmäßigkeitder Linienbreite und Lackprofile führt. Die erfindungsgemäße Vorgehensweise,eine zusätzlichenSäurebeschichtungauf dem Fotolack nach dem Austreiben des Lösungsmittels aus dem Fotolackmit dem ersten Temperaturschritt und vor dem Entwickeln des Fotolacksin einem basischen Medium durchzuführen, erlaubt den Einsatz kontrastreicherund somit hoch auflösenderFotolacksysteme, insbesondere chemisch verstärkter Fotolacke zur Ausbildungauch kleinster Linienstrukturen und damit eine zuverlässige Bauelementefertigung hochintegrierter Schaltungen.
    [0026] AlsSäure zurAufbringung aus der Gasphase dienen vorzugsweise kurzkettige, substituierte oderunsubstituierte organische Säurenmit einem relativ niedrigen Säurepunktbis 150° wieTrifluressigsäure,Essigsäure,Triflurmethansulfonsäureoder vergleichbaren Säuren.Diese gasförmigenSäuren können miteinem sog. Showerhead, wie er zum Aufbringen von Haftvermittlernverwendet wird, direkt auf den Wafer mit der Fotolackschicht aufgedampft oderaufgesprühtwerden. Als Säurezum Aufbringen aus der Flüssigkeitsphasewerden bevorzugt substituierte oder auch unsubstituierte organischeSäuren, diein Wasser gelöstsind, genutzt. Diese flüssigen Säuren werdenvorzugsweise übereinen in der Lithographietechnik üblichen Spin-On-Prozess aufgebracht.Nach dem Aufbringen der flüssigenSäure wirdder Wafer mit einem Temperaturschritt getrocknet. Dann wenn dieSäureaufbringungwährenddes sogenannten Post-Exposure-Bake-Prozesses der Fotolackschichtdurchgeführtwird, wird die Säure vorzugsweiseaus der Gasphase aufgebracht.
    [0027] Dieerfindungsgemäße Vorgehensweiseeiner zusätzlichenSäurebeschichtungdes Fotolacks nach dem Austreiben des Lösungsmittels und vor dem Entwickelndes Fotolacks in einem basischen Medium bewirkt eine wesentlicheVerbesserung der lokalen Entwicklungsrate der Fotolackschicht sowie derlinienbreiten Stabilitätund ermöglichtso die Anwendung hoch auflösenderFotolacksysteme und somit die Herstellung kleinster Strukturen zurAusbildung hoch integrierter Bauelemente.
    1 Siliziumsubstrat – Siliziumwafer 2 SiO2-Schicht 3 Haftvermittler 4 Fotolackschicht 5 Belichtung 6 Säureerzeugung
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] Fotolithografisches Verfahren zum Ausbilden einerFotomaske auf einem Substrat mit den Verfahrenschritten: Beschichtendes Substrats mit einem Fotolack, Austreiben des Lösungsmittelsaus dem Fotolack mit einem ersten Temperaturschritt, Belichtendes Fotolacks, Aufheizen des Fotolacks in einem zweiten Temperaturschritt,und Entwickeln des Fotolacks in einem basischen Medium, um die Fotolackmaskeauszubilden, gekennzeichnet durch einen weiteren, undnach dem Austreiben des Lösungsmittelsaus dem Fotolack mit dem ersten Temperaturschritt und vor dem Entwickelndes Fotolacks in dem basischen Medium ausgeführten Verfahrensschritt einesBeschichtens des Fotolacks mit einer Säure.
    [2] Fotolithografisches Verfahren nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, dass das Beschichten des Fotolacks mit einer Säure vor,währendoder nach dem Aufheizen des Fotolacks in dem zweiten Temperaturschritterfolgt.
    [3] Fotolithografisches Verfahren nach Anspruch 1 oder2, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichten des Fotolacks miteiner Säurenach dem Belichten des Fotolacks erfolgt.
    [4] Fotolithografisches Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis3, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichten des Fotolacks miteiner Säureaus der Gasphase erfolgt.
    [5] Fotolithografisches Verfahren nach Anspruch 4, dadurchgekennzeichnet, dass als Säureeine kurzkettige, substituierte oder unsubstituierte organischeSäure miteinem Siedepunkt bis 150°Ceingesetzt wird.
    [6] Fotolithografisches Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis3, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichten des Fotolacks miteiner Säureaus der Flüssigphaseerfolgt, wobei der Fotolack nach dem Aufbringen der Säure getrocknetwird.
    [7] Fotolithografisches Verfahren nach Anspruch 6, dadurchgekennzeichnet, dass als Säureeine substituierte oder unsubstituierte organische in Wasser gelöste Säure eingesetztwird.
    [8] Fotolithografisches Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis7, dadurch gekennzeichnet, dass der Fotolack ein chemisch verstärkter (CAR)-Fotolackist.
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    公开号 | 公开日
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
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